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真空电子技术期刊
出版文献量（篇）
2372
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8712

真空电子技术

Vacuum Electronics

CSTPCD

影响因子 0.1767
本刊1959年创刊，现为双月刊，国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊，电真空情报网网刊，中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件；CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件；照明光源；真空获得、测量、控制；气体分析；表面技术；电子材料及特殊工艺等方面的... 更多
主办单位：
北京真空电子技术研究所
期刊荣誉：
编辑质量奖 
ISSN：
1002-8935
CN：
11-2485/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
100015
地址：
北京749信箱7分箱
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2372
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  • 1. 氧化铝陶瓷金属化工艺的改进
    作者： 刘征 王洪军 蔡安富 陈新辉 黄亦工 黄浩
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  1-3
    摘要： 针对影响氧化铝陶瓷活化钼锰法金属化的工艺因素,在配方、原料处理、涂敷方式、烧结等方面进行改进,提高工艺水平,保证质量稳定性、一致性.
  • 2. 金刚石膜在真空电子器件输出窗中的应用
    作者： 高陇桥
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  4-5,13
    摘要： 综述了金刚石膜的性能和制备方法,着重介绍了国内外常用的封接工艺,讨论了该材料在mm波器件中的应用前景.
  • 3. 真空陶瓷管壳在应用中所出现的若干问题的探究
    作者： 周子崴
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  6-7
    摘要： 介绍了实际生产过程中,真空开关管的管壳质量与瓷件和金属化工艺的关系,叙述了控制瓷件的尺寸、釉层白瓷和金属化层质量的重要意义.
  • 4. 纳米YAG/Al2O3复相陶瓷材料性能与微观结构研究
    作者： 仝建峰 陈大明
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  8-13
    摘要： 采用高分子网络凝胶法直接制备YAG纳米粉体,XRD结果表明,所得粉体具纯的YAG相,平均粒径在30 nm.通过热压烧结得到了致密YAG/Al2O3烧结体,所得的致密体材料为晶内型和晶间型混合...
  • 5. 高纯氧化铝陶瓷材料的焊接性能研究
    作者： 张巨先 荀燕红 陈丽梅 鲁燕萍
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  14-16
    摘要： 分别采用Ti-Ag-Cu活性金属法、Mo-Mn高温金属化法及氧化物焊料法对高纯氧化铝陶瓷-金属进行焊接实验.结果发现,高纯氧化铝陶瓷的焊接性能较好,适应性较强,其焊接工艺可以采用目前较为成熟...
  • 6. 浅谈陶瓷金属化质量的可靠性控制
    作者： 王娟 王长芬 范爱华 董笑瑜 顾献林
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  17-19
    摘要： 简要介绍了影响陶瓷金属化质量的主要因素,并在陶瓷金属化配方、工艺规范确定的前提下,介绍一些在实际生产中经常出现由于工艺条件、材料性能的波动而产生质量问题的可靠性控制的方法.
  • 7. 纳米AlN粉末的制备与烧结
    作者： 孙伟 曲选辉 杜学丽 秦明礼
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  20-22
    摘要： 利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性.实验表明:以合成的AlN粉末为原料,添加5%(质量比)Y2O3作为烧结助剂,...
  • 8. 纳米Ag-Cu-In-Sn合金粉体的分散稳定性研究
    作者： 丘泰 张振忠 李晓芸 李良峰 颜秀文
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  23-25
    摘要： 通过等离子体蒸发凝聚法制备纳米Ag-Cu-In-Sn合金粉,初步研究了聚乙烯吡咯烷酮K-30(PVP)和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)及其分散工艺对合金粉体分散性能的影响.研究结果表明:随...
  • 9. 平板式固体氧化物燃料电池的封接
    作者： 王欢 王琦 蒋先锋 韩敏芳 高陇桥
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  26-30,39
    摘要： 平板式固体氧化物燃料电池(SOFC)是目前发展的主要趋势,其中的封接技术很关键.本文综述了云母复合压缩封接和玻璃/玻璃陶瓷封接在平板式SOFC中应用的技术进展,比较了各种封接方式的优缺点,并...
  • 10. 铜应力缓解层对陶瓷-金属连接残余应力的影响
    作者： 刘鑫 叶军 张小勇 楚建新 陆艳杰
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  31-33
    摘要： 用有限元法计算了不同厚度铜片对Si3N4-4Cr10Si2Mo连接四点弯曲试样残余应力的影响,找出最大残余应力位置及数值.测量了不同厚度铜片作缓解层时连接试样强度.计算结果与测量结果一致性较...
  • 11. 工艺参数对TiO2衰减瓷的影响
    作者： 刘敏玉 杨德勇
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  34-35
    摘要： 通过选择合理的工艺参数可提高TiO2衰减瓷的性能,实验表明通过在一定范围内升高温度、增加TiO2含量和添加高价态氧化物可提高TiO2衰减瓷的衰减量.
  • 12. 高气密性Mo-Cu-Ni瓷封合金
    作者： 夏扬 宋月清 崔舜 林晨光 韩胜利
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  36-39
    摘要： 采用粉末冶金工艺制备了相对密度达99.97%的Mo-Cu-Ni合金,研究了合金的结构、物理性能、力学性能及加工性能.结果表明:经特殊工艺处理后合金气密性极高.合金以Mo为基,Cu,Ni互扩散...
  • 13. Li2O-ZnO-SiO2系高膨胀微晶封接材料的析晶和重熔结构分析
    作者： 刘得利 孙俊才 王守平 田东 赵艳艳
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  40-43,58
    摘要： 通过采用XRD、差热分析、SEM等手段对Li2O-ZnO-SiO2系高膨胀微晶材料的析晶和重熔进行了结构分析.分析表明,①该材料在不超过800℃析晶时,主晶相为半蜷曲状二硅酸锂和硅酸锌,次晶...
  • 14. 氧化锆耐火材料的几个典型应用
    作者： 孙再洪
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  44-45,58
    摘要： 介绍了氧化锆耐火材料对氧化锆原料的要求及其一般性能,着重叙述了氧化锆耐火材料的典型应用.
  • 15. 混合电导陶瓷材料研究进展
    作者： 杨志宾 王启宝 缪文亭 袁燕 韩敏芳
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  46-50
    摘要： 一些氧化物具有良好的离子导电性能和电子导电性能,这种物质被称为混合离子-电子导体,即混合电导材料.此类材料可以是单相材料,也可以是复相材料.通常制成薄膜状或管状,用于固体氧化物燃料电池和氧传...
  • 16. 铁素体不锈钢在氧化物燃料电池中的应用
    作者： 王忠利 陈鑫 韩敏芳
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  51-54
    摘要： 对几种固体氧化物燃料电池(SOFC)连接体材料作了简要的总结,重点论述了几种主要元素对铁素体不锈钢连接体的影响,以Crofer22 APU,SUS430,X10CrAl18和ZMG232为例...
  • 17. 4J32 Invar合金的注射成形
    作者： 曲选辉 段伯华 秦明礼 程彤 马书旺 高鹏
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  55-58
    摘要： 以铁粉、镍粉和钴粉为原料,研究了4J32 Invar合金的注射成形工艺.选择了一种适合4J32 Invar合金注射成形的粘结剂体系.在烧结温度为1350℃,烧结时间为120 min,烧结气氛...
  • 18. Ti/Ag/Cu活性焊料的封接特性
    作者： 彭康 曾敏 解永蓉 邹桂娟 金大志 黄晓军
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  59-61
    摘要： Ti/Ag/Cu活性焊料法广泛应用于陶瓷与金属的焊接中,但该焊料在陶瓷表面的浸润性较差,在金属表面易发生偏析的现象.本文对该焊料的流散特性进行了讨论,对陶瓷与金属的封接界面进行了分析,对封接...
  • 19. 活性法陶瓷-金属封接工艺的新进展
    作者： 高陇桥
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  62-65
    摘要： 综述了活性法陶瓷-金属封接工艺的新进展,强调指出:返烧经研磨的瓷件,用活性法同样可以得到高质量的陶瓷-金属封接件.
  • 20. 粘合剂在陶瓷-金属封接技术中的应用
    作者： 刘征 李新宇 高陇桥
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  66-70
    摘要： 研究改进了目前丝网印刷膏用的粘合剂,运用双毛细管模型解释了封接强度增加的原因,粘合剂成分直接影响陶瓷金属封接质量,其中溶剂对陶瓷-金属封接强度起着重要作用,起粘和作用的乙基纤维素只影响涂敷后...
  • 21. 碳化硅粉中含碳量测定方法的研究
    作者： 何晓梅 王卫杰
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  71-73
    摘要： 采用高频红外碳硫分析仪对SiC粉中的含C量测定方法进行了研究,其中对试样的预处理、助熔剂、分析时间、试样用量等问题进行了探讨.试验结果表明,该方法操作简便,快速,准确,取得较为满意的效果.
  • 22. 连续式陶瓷高温金属化炉的研制
    作者： 李征 皮乐民
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  74-77,81
    摘要： 简要介绍了陶瓷金属化炉的用途、类型、结构形式、特点等内容,以及在高温陶瓷金属化炉的引进、消化吸收、国产化方面所作的工作及经验、教训等.
  • 23. 95陶瓷散热基片生产中若干质量问题
    作者： 宋乐义 彭小利 王成 闫学秀
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  78-81
    摘要： 介绍了95陶瓷散热基片生产过程中应控制的几个质量问题,重点分析了95瓷的配料,烧结及其基板金属化的附着力等.
  • 24. 高频钎焊在微波电子管中的应用
    作者： 张海霞 李鹏
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  82-84
    摘要： 微波电子行波管的高频系统往往要采用结构复杂的不锈钢零件,为解决这些零件常规钎焊工艺条件下存在的润湿性差、生产周期长以及不适于批量生产的问题,本文采用了冲击镀镍-高频钎焊的新工艺.实际应用表明...
  • 25. 高频钎焊工艺的改进
    作者： 张振霞 李秀霞
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  85,91
    摘要： 在高频焊接中经常容易出现陶瓷炸裂的问题,本文对这个问题进行了初步的分析,并提出了一种解决办法,实验结果表明该办法是有效的.
  • 26. 长寿命真空灭弧室的设计与制造
    作者： 张玉珍 王文静
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  86-88
    摘要： 通过对灭弧室的结构设计、波纹管的设计和制造工艺、屏蔽筒的固定方式以及灭弧室装配工艺等影响灭弧室机械寿命的因素进行分析,并在此基础上加以改进,通过在TD14A-12/1600-31.5C真空灭...
  • 27. 运用正交试验法分析、解决玻璃真空灭弧室中封断裂和中封炸裂
    作者： 张玉珍
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  89-91
    摘要： 针对BD390型真空灭弧室在ZN28A-12/1250-31.5分装式断路器使用中出现中封亮线(断裂和炸裂),运用正交试验法,考察4种因素2个水平对中封亮线的影响程度,共设计了7种不同的灭弧...
  • 28. 电真空器件钼制零件开裂原因分析
    作者： 陈燕
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  92-96
    摘要： 针对电真空器件的钼制零件在实际使用过程中出现的开裂现象进行了分析,并从材料的检验方法、验收标准、工艺规范等几个方面提出了改进的措施.
  • 29. 磁选态和光抽运铯束管特性的对比
    作者： 卢斌 王克廷 陈海军
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  97-100
    摘要： 简述了磁选态和光抽运铯束管的工作原理,在频率准确度、短期稳定度、长期稳定度三个方面将两者对频标性能的作用影响进行了计算对比.结果表明磁选态管准确度和长稳较好,短稳有限;光抽运管可使优值系数F...
  • 30. 坚持品牌战略,走特色之路——访中国振华(集团)科技股份有限公司(宇光分公司)总经理申刚先生
    作者：
    刊名： 真空电子技术
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  101-102
    摘要：

真空电子技术基本信息

刊名 真空电子技术 主编 廖复疆
曾用名
主办单位 北京真空电子技术研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1002-8935 CN 11-2485/TN
邮编 100015 电子邮箱 VETECH@163.com
电话 010-84352012 网址
地址 北京749信箱7分箱

真空电子技术评价信息

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1. 编辑质量奖

真空电子技术统计分析

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