单轴〈111〉应力硅价带结构计算

• 作者: 宋建军 张鹤鸣 徐小波 王冠宇 王晓艳 马建立
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单轴应力硅 k·p法 价带结构
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 页码范围: 544-551
• 分类号: O346.2
• 语种: 中文

摘要

基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构,并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较.给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况.计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致.拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
2	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	204	9.0	12.0
3	王晓艳	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	52	4.0	6.0
4	王冠宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	48	5.0	6.0
5	马建立	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	29	3.0	5.0