GaAs自旋注入及巨霍尔效应的研究

• 作者: 王志明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 自旋注入 颗粒膜 巨霍尔效应
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 608-611
• 分类号: O441
• 语种: 中文

摘要

在自旋电子学研究中，一般以超晶格结构、自旋阀、隧道结来实现，另一种自旋注入典型方法是稀磁半导体材料，如GaMnAs，本文通过颗粒膜实现自旋注入，利用磁控溅射法将Fe颗粒嵌入GaAs阵体上，制备r（GaAs）19Fe81颗粒膜样品，在室温条件下观测到15μΩ·cm最大饱和霍尔电阻率，该效应比纯铁的饱和霍尔电阻率大了一个数量级，成功地实现了自旋注入．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志明	南京理工大学机械工程学院	33	122	7.0	9.0