氟掺杂氧化锡薄膜载体材料在不同介质溶液中的电学稳定性

• 作者: 吴回君 周荣 张玉勤 蒋业华
• 来源期刊: 中国组织工程研究与临床康复
• 学科: 医学
• 关键词: 氟掺杂氧化锡薄膜 载体材料 介质溶液 电学稳定性 相对电阻变化
• 年，卷（期）: 2011,（34）
• 所属期刊栏目: 生物膜材料
• 页码范围: 6292-6295
• 分类号: R318
• 字数: 3558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-8225.2011.34.006

摘要

背景:在电化学基因芯片中,氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜载体材料的化学修饰、DNA杂交反应等需要在不同的介质溶液中进行,而各种介质溶液腐蚀会对其性能产生较大的影响,甚至出现性能劣化或失效现象.目的:观察氟掺杂氧化锡薄膜载体材料在NaOH、NaCl、Na2SO4介质溶液中的电学稳定性.方法:利用相对电阻变化(ΔR/R)方法观察了氟掺杂氧化锡薄膜在温度分别为25 ℃和50 ℃、浓度为1 mol/L的NaOH、NaCl、Na2SO4介质溶液中的电学稳定性.结果与结论:在3种介质溶液中,氟掺杂氧化锡薄膜在25 ℃的NaCl和Na2SO4溶液中ΔR/R值变化极小,而在25 ℃的NaOH溶液中ΔR/R值变化要远大于前两者;氟掺杂氧化锡薄膜在50 ℃的NaOH、NaCl、Na2SO4 3种介质溶液中ΔR/R变化值显示出了相同的变化规律,随着浸泡时间的延长,ΔR/R值发生了明显的迅速增大,薄膜导电性能快速下降;氟掺杂氧化锡薄膜在3种介质溶液中的电学稳定性从好到差依次为:NaCl>Na2SO4>NaOH.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周荣	昆明理工大学材料科学与工程学院	257	1741	19.0	27.0
2	蒋业华	昆明理工大学材料科学与工程学院	329	2172	21.0	29.0
3	张玉勤	昆明理工大学材料科学与工程学院	33	87	5.0	8.0
4	吴回君	昆明理工大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0