铟锡氧化物薄膜载体材料在不同介质溶液中的电学稳定性

• 作者: 吴回君 周荣 张玉勤 蒋业华
• 来源期刊: 中国组织工程研究与临床康复
• 学科: 医学
• 关键词: 铟锡氧化物薄膜 载体材料 介质溶液 电学稳定性 相对电阻变化
• 年，卷（期）: 2011,（29）
• 所属期刊栏目: 技术与方法
• 页码范围: 5355-5358
• 分类号: R318
• 字数: 4097字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-8225.2011.29.009

摘要

背景:在电化学基因芯片中,对载体材料铟锡氧化物薄膜的化学修饰、DNA杂交反应等需要在不同的介质溶液中进行,而各种介质溶液腐蚀会对其性能产生较大的影响,甚至出现性能劣化或失效现象.目的:观察铟锡氧化物薄膜载体材料在NaOH、NaCl、Na2SO4、H2SO4介质溶液中的电学稳定性.方法:针对用于电化学基因芯片载体材料的铟锡氧化物薄膜,利用相对电阻变化(ΔR/R)方法观察了铟锡氧化物薄膜在温度分别为25 ℃和50 ℃、浓度为1 mol/L的NaOH、NaCl、Na2SO4、H2SO4介质溶液中的电学稳定性.结果与结论:在4种介质溶液中,铟锡氧化物薄膜ΔR/R值显示出了相同的变化规律.随着浸泡时间的延长,薄膜的ΔR/R值持续增大,导电性能下降;而随着介质溶液温度的升高,薄膜电学稳定性显著下降,出现了薄膜电学性能失效现象;在4种介质溶液中,铟锡氧化物薄膜电学稳定性从好到差依次为:NaOH>Na2SO4>NaCl>H2SO4,出现上述现象的主要原因是薄膜在4种介质溶液中的腐蚀机制不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周荣	昆明理工大学材料科学与工程学院	257	1741	19.0	27.0
2	蒋业华	昆明理工大学材料科学与工程学院	329	2172	21.0	29.0
3	张玉勤	昆明理工大学材料科学与工程学院	33	87	5.0	8.0
4	吴回君	昆明理工大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0