表面等离子体干涉光刻理论计算

• 作者: 余建立 叶松 王向贤 许明坤 许雪艳
• 来源期刊: 浙江大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 表面等离子体 纳米光刻 干涉 光栅
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 电子科学
• 页码范围: 166-170
• 分类号: O439
• 字数: 793字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-9497.2012.02.009

摘要

推导了基于衰减全内反射结构的表面等离子体干涉光刻磁场强度分布的解析表达式,讨论了该光刻结构的最优化条件.当激发光为325 nm激光,棱镜和光刻胶的折射率分别为1.94和1.53时,最优化的Al膜厚为19.2nm,共振角为58.83°,激发的表面等离子体干涉刻写光栅的特征尺寸为48.9 nm,小于1/6波长.计算结果表明,高折射的光刻胶可以制造高分辨率的光栅.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许雪艳	巢湖学院物理与电子科学系	31	74	5.0	7.0
2	许明坤	巢湖学院物理与电子科学系	20	20	2.0	3.0
3	王向贤	巢湖学院物理与电子科学系	36	60	4.0	5.0
4	余建立	巢湖学院物理与电子科学系	22	47	5.0	5.0
5	叶松	巢湖学院物理与电子科学系	26	40	3.0	4.0