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利用康普顿散射分析碳化硅陶瓷在高温下使用氧化后组成的变化
利用康普顿散射分析碳化硅陶瓷在高温下使用氧化后组成的变化
作者:
卓尚军
申如香
盛成
钱荣
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
康普顿散射
波长色散X射线荧光光谱仪
平均原子序数
碳化硅陶瓷
摘要:
用波长色散X射线荧光光谱仪,通过测量散射体(样品)对铑的康普顿散射线(RhKα-C)强度的变化,实现了碳化硅陶瓷在高温下使用时氧化情况的监控。用一套8只碳化硅校准样品建立了康普顿散射强度与样品平均原子序数之间关系的数学模型。利用此模型计算了碳化硅氧化后组成含量的变化。结果表明:用此方法测得的样品中碳、硅及氧的相对含量与X射线光电子能谱法所测结果相符,两者间的相对偏差均小于1%。据此认为,此方法所测得的数据是可以接受的。
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文献信息
篇名
利用康普顿散射分析碳化硅陶瓷在高温下使用氧化后组成的变化
来源期刊
理化检验:化学分册
学科
化学
关键词
康普顿散射
波长色散X射线荧光光谱仪
平均原子序数
碳化硅陶瓷
年,卷(期)
2012,(1)
所属期刊栏目
试验与研究
研究方向
页码范围
1-3,7
页数
4页
分类号
O657.34
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
卓尚军
中国科学院上海硅酸盐研究所
31
343
12.0
17.0
2
钱荣
中国科学院上海硅酸盐研究所
10
53
4.0
7.0
3
盛成
中国科学院上海硅酸盐研究所
8
59
4.0
7.0
4
申如香
中国科学院上海硅酸盐研究所
10
197
6.0
10.0
传播情况
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2012(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
康普顿散射
波长色散X射线荧光光谱仪
平均原子序数
碳化硅陶瓷
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
理化检验-化学分册
主办单位:
上海材料研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4020
CN:
31-1337/TB
开本:
大16开
出版地:
上海市邯郸路99号
邮发代号:
4-182
创刊时间:
1963
语种:
chi
出版文献量(篇)
7578
总下载数(次)
8
总被引数(次)
40334
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