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摘要:
赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要.本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15 μm工艺pHEMT进行仿真参数提取,结果与稳懋pHEMT模型手册中小信号模型对比,吻合良好,进而希望该模型应用于低温pHEMT小信号模型参数提取.
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文献信息
篇名 一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法
来源期刊 中国科学院上海天文台年刊 学科 工学
关键词 小信号等效电路模型 pHEMT建模 参数提取 S参数
年,卷(期) 2012,(1) 所属期刊栏目 计算机软件、数据处理
研究方向 页码范围 66-73
页数 8页 分类号 TN702
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
小信号等效电路模型
pHEMT建模
参数提取
S参数
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中国科学院上海天文台年刊
年刊
16开
上海市钦州南路71号
1954
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