Bi掺杂BaSnO3电子结构的第一性原理研究

• 作者: 张旻 汪庆喜 王月花 赵娜 赵新印
• 来源期刊: 徐州工程学院学报：自然科学版
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 密度泛函理论 电子能带结构 光学性质 铁电性
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 34-39
• 页数: 6页
• 分类号: O482.3
• 字数: 3219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-358X.2012.02.008

摘要

采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法，对Bi掺杂钙钛矿BaSnO3电子结构进行了第一性原理的研究．研究结果表明：BaSnO3是一种间接带隙材料，带隙值为0．33eV，掺杂前其光吸收和催化能力都很弱，但掺杂后的Ba1-xBixSnO3是一种直接带隙材料；随着掺杂量的增加，其带隙值和晶格常数都减小；费米面都向高能移动，使得介电函数的虚部的峰值大幅度提高，介电损失减小．掺杂提高了Ba1-xBiSnO3的光吸收和催化能力，表明Ba1-xBiSnO3是一种有前景的光学材料．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵娜	中国矿业大学理学院	10	51	4.0	7.0
2	王月花	中国矿业大学理学院	9	19	2.0	4.0
3	张旻	中国矿业大学理学院	2	4	1.0	2.0
4	赵新印	中国矿业大学理学院	3	7	2.0	2.0
5	汪庆喜	中国矿业大学理学院	1	1	1.0	1.0