40nm工艺闪存：闪存

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: 闪存技术 工艺 实时应用 株式会社 高可靠性 嵌入式 电子 硅
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 40-40
• 页数: 1页
• 分类号: TN911.72
• 字数: 1168字
• 语种: 中文

摘要

瑞萨电子株式会社推出适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨电子在开发具有高质量及高可靠性的闪存MONOS（金属氮氧硅）技术方面，拥有丰富的经验且广受好评。