基于加权比特翻转的MLC型NAND闪存系统

• 作者: 余娟 张旋
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 多级单元 单元间干扰 加权比特翻转译码
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 75-78
• 页数: 4页
• 分类号: TP393
• 语种: 中文

摘要

多级单元(Multi-Level-Cell,MLC)技术增加了NAND闪存的存储密度,但也增强了单元间干扰(Cell-to-Cell Interference,CCI)噪声强度,导致了NAND闪存的可靠性急剧下降.在深入研究MLC闪存模型和CCI噪声模型基础上,提出了一种MLC型NAND闪存的加权比特翻转硬判决译码方法.仿真结果表明,在MLC闪存信道条件下,该方法既可保证MLC闪存单元的可靠性,对可保持较低的译码复杂度,从而实现了译码复杂度和性能间的良好折衷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张旋		28	27	3.0	4.0
2	余娟		11	26	3.0	4.0