MLC型NAND闪存中Polar码的优化设计

• 作者: 卞建慧 孔令军 赵生妹
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 多级存储单元 Polar码 巴氏参数
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 40-46
• 页数: 7页
• 分类号: TN911.2
• 字数: 5219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14132/j.cnki.1673-5439.2018.03.007

摘要

为了进一步提升多级存储单元的纠错性能,提出了一种基于多级存储单元阈值电压分布的Polar码优化设计方法.针对多级存储单元的固有特性,该方法迭代计算各存储单元比特的巴氏参数值优化设计Polar码.分析了不同构造方法对多级存储单元闪存性能的影响,并与文中所构造的Polar码和系统Polar码在多级存储单元信道中的性能进行了比较.仿真结果表明:在多级存储单元信道中,当误码率为10-5时,本文所构造的Polar码与高斯信道下经典巴氏参数法构造的Polar码相比可获得约2 dB增益;当信噪比为21 dB时,与蒙特卡罗法构造的Polar码相比,文中设计的系统Polar码的误码率可提升2个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵生妹	南京邮电大学通信与信息工程学院	99	581	13.0	17.0
2	孔令军	南京邮电大学通信与信息工程学院	7	8	2.0	2.0
3	卞建慧	南京邮电大学通信与信息工程学院	1	4	1.0	1.0