面向MLC闪存的比特翻转译码算法研究

• 作者: 张旋 慕建君 焦晓鹏
• 来源期刊: 哈尔滨工程大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 闪存 多级单元 单元间干扰 蒙特卡罗仿真 低密度奇偶校验码 比特翻转译码
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 331-337
• 页数: 7页
• 分类号: TP301.6|TN911.22
• 字数: 5775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11990/jheu.201711107

摘要

针对寄生耦合电容效应导致闪存相邻多级单元(multi-level-cell,MLC)的阈值电压失真而产生的存储数据错误问题,本文提出了一种适用于MLC闪存系统的改进比特翻转译码算法.在分析MLC闪存发生错误原因的基础上,利用蒙特卡罗仿真方法计算相邻MLC闪存阈值电压分布的重叠区域来确定阈值电压对应存储比特的可靠性,借助存储比特的可靠性度量设计了MLC闪存的比特翻转规则.仿真结果表明,耦合强度系数s=1.8与感知精度分别为p=3和p=4时,相比于原有MLC闪存比特翻转译码算法,所提出MLC闪存比特翻转译码算法的译码性能提升了81％和91％,并且译码的平均迭代次数减少了9.8％和21％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	慕建君	西安电子科技大学计算机学院	34	249	6.0	15.0
2	焦晓鹏	西安电子科技大学计算机学院	13	113	3.0	10.0
3	张旋	西安电子科技大学计算机学院	28	27	3.0	4.0