诱导层成膜对弱外延OTFT的影响

• 作者: 向长江 朱棋锋 洪飞 申剑锋 谭莉 郭晓东
• 来源期刊: 应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 形貌 迁移率 衬底 场效应 诱导 厚度 影响 研究
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 140-144
• 页数: 5页
• 分类号: TN3

摘要

采用弱外延生长(Weak Epitaxy Growth,WEG)的方法制备OTFTs,研究了不同衬底温度对诱导层p-6P生长形貌的影响,以及WEG-OTFTs器件特性与诱导层形貌的关系。另外,还研究了诱导层p-6P的厚度变化对WEG-OTFTs场效应迁移率的影响。研究发现随着p-6P厚度增加WEG-OTFTs的场效应迁移率是一个先上升后下降然后再上升再下降的过程。我们在诱导层p-6P的厚度2 nm,衬底温度180℃时得到了最大的OTFTs场效应迁移率1.03 cm2/Vs。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪飞	上海中科高等研究院新型显示技术研究中心	2	0	0.0	0.0
2	谭莉	上海中科高等研究院新型显示技术研究中心	2	0	0.0	0.0
3	朱棋锋	上海中科高等研究院新型显示技术研究中心	2	0	0.0	0.0
4	向长江	上海中科高等研究院新型显示技术研究中心	2	0	0.0	0.0
5	郭晓东	上海中科高等研究院新型显示技术研究中心	2	0	0.0	0.0
6	申剑锋	上海中科高等研究院新型显示技术研究中心	3	5	1.0	2.0