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摘要:
IPDIA公司推出一种新的高温硅电容,可在1206封装尺寸里达到高电容值。
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硅基底铜基材料电极制备及其储能特性研究
硫化铜
氢氧化铜
硅基底
超级电容器
储能特性
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 1μF硅电容:硅电容
来源期刊 世界电子元器件 学科 工学
关键词 硅电容 封装尺寸 电容值
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 39-39
页数 1页 分类号 TM564
字数 1165字 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
硅电容
封装尺寸
电容值
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
世界电子元器件
月刊
1006-7604
11-3540/TN
16开
北京市北四环西路67号大地科技大厦1201-1218
82-796
1995
chi
出版文献量(篇)
5855
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6
总被引数(次)
6108
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