温度波动对PV型InSb探测器响应特性的影响

• 作者: 孙静 张蓉竹 杜立峰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 光伏型光电探测器 InSb 温度波动 响应特性
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 478-482
• 分类号: TN215
• 语种: 中文

摘要

对激光照射下光伏型锑化铟光电探测器的响应特性进行了研究,得到了强激光辐照下温度波动（低温和常温温度波动）对探测器响应特性的影响。利用材料内部的光生电动势分析模型,通过数值模拟,给出了理论上的激光辐照下主要参数对探测器输出电压的影响。结果表明：输出电压随着温度的上升而降低,饱和电压也随着温度的上升而降低。特别是低温与常温下的响应特性有所不同,随着入射光功率的增大,低温下随温度变化的输出电压变化量减小,常温下随温度变化的输出电压变化量增大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙静	四川大学电子信息学院	32	92	6.0	8.0
2	张蓉竹	四川大学电子信息学院	107	573	10.0	20.0
3	杜立峰	四川大学电子信息学院	7	14	3.0	3.0