双氧水浓度对硅纳米线生长的影响

• 作者: 林星星 沈文忠
• 来源期刊: 上海电机学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属辅助化学刻蚀 硅纳米线 形貌 生长速度
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 材料工程
• 页码范围: 123-127
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 字数: 2476字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0020.2012.02.012

摘要

利用两步法金属辅助化学刻蚀（MACE）法制备硅纳米线（SiNWs）样品。研究了双氧水（H2O2）浓度对SiNWs样品形貌、生长速率以及发光特性的影响。发现随着H2O2浓度的增加，SiNWs样品生长速率随之提高，同时出现了位于685nm附近较宽的来源于多孔硅结构的光致发光峰。实验结果表明，多孔硅结构的形成与银离子（Ag＋）通过扩散作用在SiNWs样品侧壁重新沉积有关。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈文忠	上海交通大学太阳能研究所	35	210	7.0	13.0