CuSi6团簇几何结构和性质的密度泛函理论研究

• 作者: 傅院霞 吕思斌 汤庆国 王倩 胡守信 许永红
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 Cu掺杂硅团簇 几何结构
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 原子、分子与团族物理
• 页码范围: 625-631
• 分类号: O561.1
• 字数: 3959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2012.04.012

摘要

利用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,采用全电子基组6-311+G(d)研究了CuSi6团簇的几何构型和电子结构性质,计算表明CuSi6团簇存在多个能量相近的稳定异构体,且结构中存在多个Cu—Si键,多个低能异构体共存解释了实验中观察到的CuSi6团簇较强的现象.对于CuSi6团簇,计算得到的三个最稳定异构体的垂直电离能,电子亲和能和HOMO-LUMO能隙均相对较大,也表明这三个异构体较为稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王倩	西北师范大学化学化工学院	15	19	3.0	3.0
2	傅院霞	蚌埠学院数学与物理系	46	69	5.0	6.0
3	吕思斌	蚌埠学院数学与物理系	21	36	4.0	4.0
4	汤庆国	蚌埠学院数学与物理系	5	3	1.0	1.0
5	许永红	蚌埠学院数学与物理系	49	103	6.0	8.0
6	胡守信	蚌埠学院数学与物理系	2	3	1.0	1.0