In极性面InN的生长动力学行为

• 作者: 康俊勇 蔡端俊 黄强灿
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 动力学 InN
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 818-823
• 分类号: O781|O484.1
• 字数: 2591字
• 语种: 中文

摘要

采用第一性原理模拟计算方法,从原子层面出发,了解InN的生长动力学行为.通过计算N和In原子于不同覆盖度下In极性表面的top、h3以及t4位置上的形成能和扩散势垒,了解沉积原子的相互作用和成核.结果表明,In原子比N原子更容易在干净的In极性表面吸附、粘接,并通过扩散找到稳定位置,形成一个较致密的双In原子层.模拟计算了N和In原子在双In原子层和三In原子层表面的扩散,结果显示,在稳定的双In原子层上,N原子将通过垂直扩散穿过顶部In原子层,并在两In原子层表面之间横向扩散,形成纤锌矿结构的InN材料;然而,In原子虽然可形成三In原子层或In滴,其上沉积的N原子也仅能垂直扩散穿过顶部In原子层,长成新的InN分子层,与InN基底间存在双In原子层或更厚的In薄膜,形成不完整的纤锌矿结构InN薄膜.在此基础上,我们提出一新的InN外延两步生长法,以在生长过程中尽量保持表面只存在双In原子层结构,为高质量InN薄膜的外延提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康俊勇	厦门大学物理与机电工程学院福建省半导体材料及应用重点实验室	29	84	5.0	8.0
2	蔡端俊	厦门大学物理与机电工程学院福建省半导体材料及应用重点实验室	5	21	3.0	4.0
3	黄强灿	厦门大学物理与机电工程学院福建省半导体材料及应用重点实验室	1	0	0.0	0.0