Diodes新型MOSFET离板高度减半

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 板 N通道 封装
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: I0005
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

Diodes Incorporated推出一系列采用薄型DFN2020—6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0．4毫米，