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新纳米点电子记忆体速度创世界新高
新纳米点电子记忆体速度创世界新高
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
世界纪录
记忆体
纳米点
电子
美国加州大学
速度
物理学家
应用物理学
摘要:
据物理学家组织网报道,美国加州大学伯克利分校和台湾新竹纳米元件实验室的研究人员,利用纳米点创建的新电子记忆体技术,在写入和擦除数据方面比当今主流电荷存储内存产品要快10至100倍,打破了世界纪录。相关研究结果发表于最新一期美国物理协会《应用物理学快报》。
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篇名
新纳米点电子记忆体速度创世界新高
来源期刊
光学精密机械
学科
工学
关键词
世界纪录
记忆体
纳米点
电子
美国加州大学
速度
物理学家
应用物理学
年,卷(期)
2012,(2)
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2页
分类号
TP368.32
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