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摘要:
据物理学家组织网报道,美国加州大学伯克利分校和台湾新竹纳米元件实验室的研究人员,利用纳米点创建的新电子记忆体技术,在写入和擦除数据方面比当今主流电荷存储内存产品要快10至100倍,打破了世界纪录。相关研究结果发表于最新一期美国物理协会《应用物理学快报》。
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文献信息
篇名 新纳米点电子记忆体速度创世界新高
来源期刊 光学精密机械 学科 工学
关键词 世界纪录 记忆体 纳米点 电子 美国加州大学 速度 物理学家 应用物理学
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 25-26
页数 2页 分类号 TP368.32
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研究主题发展历程
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期刊影响力
光学精密机械
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长春市卫星路7089号
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