颗粒对CCD光刻图形完整性的影响分析

• 作者: 张故万 袁安波 雷仁方
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 颗粒 图形完整性 CCD
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 53-56
• 分类号: TN929.11
• 字数: 1109字
• 语种: 中文

摘要

分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶硅时,颗粒阻碍曝光和刻蚀,引起沟阻或多晶硅连条,使CCD的像元划分和信号电子的定向转移遭受破坏,降低器件成品率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁安波		9	11	2.0	3.0
2	雷仁方		14	32	4.0	5.0
3	张故万		5	6	1.0	2.0