脉冲离子束作用下靶面次级电子的抑制

• 作者: 彭宇飞 杨振 石金水 董攀 蓝朝晖 龙继东
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲离子束 次级电子 自偏势 抑制 曲面
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 2198-2202
• 页数: 5页
• 分类号: O571.5
• 字数: 5410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20122409.2198

摘要

论述了离子束作用下固体表面次级电子产生的机制,介绍了特种真空器件中次级电子抑制的各种方法及其优缺点,提出了脉冲离子束作用下靶面次级电子抑制的自偏势法和曲面靶法等设计思路,并在实验上进行了初步验证.实验结果表明,自偏势电压大于80 V后,次级电子得到很好的抑制.在相同束流情况下,曲面靶较平面靶的次级电子产额少.利用实验结果进行估算得到了近似的次级电子产额约为0.67,比文献中的结果(0.58)偏大.对实验中自偏势法抑制反峰电子电流的效果进行了分析和讨论,结果表明:自偏势法不但能够有效抑制离子打靶产生的次级电子,还能抑制由功率源不稳定带来的入射反峰电子流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石金水	中国工程物理研究院流体物理研究所	68	304	10.0	13.0
2	杨振	中国工程物理研究院流体物理研究所	12	17	2.0	3.0
3	龙继东	中国工程物理研究院流体物理研究所	29	44	4.0	5.0
4	蓝朝晖	中国工程物理研究院流体物理研究所	12	26	3.0	4.0
5	董攀	中国工程物理研究院流体物理研究所	17	27	3.0	4.0
6	彭宇飞	中国工程物理研究院流体物理研究所	9	21	3.0	3.0