工艺参数对SiC单晶片切割表面质量的影响

• 作者: 李淑娟 李言 杨明顺 王肖烨 袁启龙
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石线锯 工件旋转 SiC单晶片 工艺参数 表面质量
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 59-62,67
• 分类号: TG48
• 字数: 3527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2012.03.014

摘要

SiC单晶片表面质量对其后续半导体器件的制造有很大影响,但其材料的高硬度和高脆性,使切片过程变得非常困难.本文在往复式电镀金刚石线切割装置上采用单因素和正交法进行了SiC单晶切割实验,研究了工件转速、线锯速率、工件进给速率、线锯磨损对晶片表面粗糙度的影响规律以及三维形貌特点.结果表明:附加工件旋转运动,晶片表面质量提高,划痕减少、深度变浅；线速增大、工件旋转速率增大或工件进给速率减小,表面粗糙度值减小；线锯磨损晶片表面粗糙度值增大.相对线速和线锯磨损,工件转速和工件进给速率对晶片表面质量及粗糙度的影响更大.应在综合考虑效率和线锯损耗的基础上合理确定切割参数,尤其是工件进给速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	361	3453	31.0	39.0
2	李淑娟	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	137	1091	18.0	27.0
3	袁启龙	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	80	731	16.0	22.0
4	杨明顺	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	123	774	13.0	22.0
5	王肖烨	西安理工大学机械与精密仪器工程学院	16	65	4.0	7.0