基于RSM的SiC单晶片表面粗糙度预测及参数优化

• 作者: 万波 李淑娟
• 来源期刊: 机械科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 响应曲面法(RSM) SiC单晶片 表面粗糙度预测 参数优化
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 551-557
• 页数: 7页
• 分类号: TH162
• 字数: 5065字
• 语种: 中文

摘要

通过响应面分析法(RSM)对超声振动辅助金刚石线锯切割SiC单晶体的工艺参数进行分析和优化.采用中心组合设计实验,考察线锯速度、工件进给速度、工件转速和超声波振幅这4个因素对SiC单晶片表面粗糙度值的影响,建立了SiC单晶片表面粗糙度的响应模型,进行响应面分析,采用满意度函数(DFM)确定了切割SiC单晶体的最佳工艺参数,验证试验表明该模型能实现相应的硬脆材料切割过程的表面粗糙度预测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李淑娟	西安理工大学机械与精密仪器学院	137	1091	18.0	27.0
2	万波	西安理工大学机械与精密仪器学院	4	46	3.0	4.0