ZnO晶格常数优化和电子结构的第一性原理研究

• 作者: 刘归 夏艳琴 李雪勇
• 来源期刊: 湖南工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 第一性原理 密度泛函理论 电子结构
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2292字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论（DFT）框架下局域密度近似平面波超软赝势法,计算了纤锌矿ZnO的晶格常数、弹性模量、能带结构和态密度。理论预测ZnO是一种直接禁带半导体材料,导带底和价带顶都位于布里渊区中心G点处。计算结果与其他文献结果吻合较好,为ZnO光电材料的设计与应用提供了理论依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘归	湖南工业大学理学院	6	56	3.0	6.0
2	李雪勇	湖南工业大学理学院	14	33	4.0	5.0
3	夏艳琴	湖南工业大学理学院	2	8	1.0	2.0