大气压非平衡等离子体沉积氧化硅薄膜

• 作者: 张溪文 林江 韩高荣
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化硅薄膜 非平衡等离子体枪 大气压 氮气 四乙氧基硅烷 基底温度
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 241-244,266
• 分类号: TB43|O484.4
• 语种: 中文

摘要

本文搭建了一套大气压等离子体薄膜沉积系统,其装置采用喷枪方式,结合运动机构控制喷枪按特定轨迹移动镀膜。四乙氧基硅烷（TEOS）作为硅的先驱体,氮气为先驱体载气和等离子体放电气体,基底温度50℃～300℃,进行了大气压等离子体化学气相沉积氧化硅薄膜的研究。运用红外光谱（FTIR）、光学椭偏仪,扫描电镜（SEM）和纳米压痕仪对沉积的薄膜进行了表征。研究表明,薄膜中富含Si—O—Si键且有少量S—OH键;较高基底温度有利于在硅基底上得到一层平整致密的薄膜;基底温度300℃时薄膜硬度达到4.8GPa,略低于采用PECVD方法沉积的氧化硅薄膜。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林江	浙江大学无机非金属材料研究所	16	245	9.0	15.0