基于二维数值仿真技术的局部场氧化形状建模

• 作者: 陈晓敏
• 来源期刊: 重庆邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 工艺仿真 硅局部场氧化(LOCOS) 形状模型 最小二乘拟合 分段函数
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 计算机与自动控制
• 页码范围: 518-520
• 分类号: TP301.6
• 字数: 1162字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3979/j.issn.1673-825X.2012.04.024

摘要

通过工艺仿真软件S-Tsuprem4对CMOS中常用的硅局部场氧化(local oxidation silicon,LOCOS)技术所生成的“鸟嘴”图形进行了仿真,提出了一种形状模型.随后利用最小二乘拟合法得到相对应的参数,拟合误差为7e-4,并最后以分段函数的方式给出了模型的表达式.该模型可以使“鸟嘴”结构更加方便应用于半导体器件的数值仿真和设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晓敏	成都工业学院信息与计算科学系	3	6	1.0	2.0