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摘要:
本文提出了一种新型的F类高效率功率放大器微带匹配拓扑.该拓扑简单紧凑且考虑了功率三极管输出端寄生效应,使得F类设计理论分析更贴合实际.基于提出的拓扑结构,采用商用10W GaN HEMT(Gallium-Nitrogen High Electron Mobility Transistor)进行了仿真与硬件实现.测试结果表明:当漏极偏置27V,工作频率2.995GHz时,实测输出功率为37.3dBm,功率附加效率为72.9%.在15~30V的偏置范围内,漏极调制效率达到68.9%以上.实测与仿真结果的吻合,很好的验证了拓扑的可行性.
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文献信息
篇名 基于器件特性的改进高效率F类微带拓扑分析与实现
来源期刊 电路与系统学报 学科 工学
关键词 功率放大器 谐波控制 微带 拓扑 高效率
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目 论文
研究方向 页码范围 13-17,22
页数 分类号 TN722
字数 3418字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-0249.2012.04.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何松柏 电子科技大学集成电路与系统系 48 244 9.0 12.0
2 游飞 电子科技大学集成电路与系统系 8 26 3.0 4.0
3 董磊 电子科技大学集成电路与系统系 3 15 2.0 3.0
4 雷奇 电子科技大学集成电路与系统系 3 15 2.0 3.0
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2012(2)
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2015(1)
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研究主题发展历程
节点文献
功率放大器
谐波控制
微带
拓扑
高效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电路与系统学报
双月刊
1007-0249
44-1392/TN
16开
广东省广州市
1996
chi
出版文献量(篇)
2090
总下载数(次)
5
总被引数(次)
21491
论文1v1指导