基于BP神经网络的静电放电电流解析表达式

• 作者: 刘进 吴启蒙 樊高辉 魏明
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: BP神经网络 静电放电(ESD) 辐射场 电磁脉冲 曲线拟合 均方误差
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容与工程电磁场专题
• 页码范围: 2912-2918
• 页数: 7页
• 分类号: TM912
• 字数: 5929字
• 语种: 中文

摘要

针对静电放电（ESD）电磁脉冲测试及其辐射场计算这一难点问题,提出了一种基于BP（back propaga-tion）神经网络的任意曲线拟合方法,并给出了任意曲线的数学解析表达式通式。根据IEC 61000-4-2标准的相关规定,采用本方法得出了理想接触式ESD电流波形的解析表达式,神经网络隐含层神经元个数选取为9时,拟合曲线均方误差（MSE）为4.491 7×10-4。提取本方法得到的理想接触式ESD电流曲线的波形参数（上升时间为0.81ns,峰值电流为14.938 5A,30ns时电流值为8.038 9A,60ns时电流值为4.037 7A）,证明了该解析式满足IEC61000-4-2的相关规定。通过对6kV放电电压的工程实测ESD电流波形曲线拟合,得到工程实测ESD电流波形的解析表达式,隐含层神经元个数选取为20时,拟合曲线均方误差为0.093 5。本方法为工程实测ESD辐射场的相关计算提供了更准确的解析表达式。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏明	军械工程学院静电与电磁防护研究所	102	799	16.0	22.0
2	刘进	军械工程学院静电与电磁防护研究所	56	208	8.0	12.0
3	樊高辉	军械工程学院静电与电磁防护研究所	21	124	6.0	10.0
4	吴启蒙	军械工程学院静电与电磁防护研究所	3	33	2.0	3.0