单层硅Si6H4Ph2的稳定性和电子结构密度泛函研究

• 作者: 吴海平 宋健 李锋 肖传云 邓开明 阚二军 陆瑞锋
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 单层硅Si6H4Ph2 稳定性 电子结构 密度泛函
• 年，卷（期）: 2012,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 437-442
• 分类号: O641.121
• 字数: 1408字
• 语种: 中文

摘要

采用密度泛函计算方法，研究了二维单层硅Si6H4Ph2的稳定性及其电子结构．通过对纯硅纳米片Si6、加氢钝化的硅纳米片Si6H6以及添加苯基钝化的硅纳米片Si6H4Ph2对比研究，揭示了Si6H4Ph2的稳定性机理．通过电子结构研究，发现Si6H4Ph2与Si6H6类似，显示间接带隙半导体性质．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓开明	南京理工大学理学院应用物理系	35	79	5.0	7.0
2	吴海平	南京理工大学理学院应用物理系	10	44	4.0	6.0
3	宋健	南京理工大学理学院应用物理系	8	27	4.0	4.0
4	肖传云	南京理工大学理学院应用物理系	12	22	3.0	4.0
5	陆瑞锋	南京理工大学理学院应用物理系	5	14	3.0	3.0
6	阚二军	南京理工大学理学院应用物理系	11	18	3.0	3.0
7	李锋	南京理工大学理学院应用物理系	5	10	2.0	3.0