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摘要:
飞思卡尔半导体日前宣布将在加利福尼亚州圣何塞市举行的DESIGNWest大会上展示其全新的基于ARM@Cortex—M0+处理器的KinetisL系列微控制器(MCU),再次显示了其在基于ARM~的嵌入式处理领域的领导地位。L系列制造时采用了低漏电、90纳米薄膜存储(TFS)工艺技术,将卓越的动态和停止电流与强大的处理性能相结合,使注重能效的设计不受8位和16位MCU的限制。
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飞思卡尔
单相电表
智能电表
硬件设计
基于ARM Cortex-M3微控制器与QDUC的嵌入式激励器设计
微控制器
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激励器
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文献信息
篇名 飞思卡尔推出业界首个基于ARM Cortex—MO+处理器的Kinetis L系列微控制器
来源期刊 中国集成电路 学科 工学
关键词 飞思卡尔 微控制器 ARM 处理器 加利福尼亚州 16位MCU 纳米薄膜 半导体
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目 业界要闻
研究方向 页码范围 7-7
页数 1页 分类号 TN911.72
字数 1173字 语种 中文
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研究主题发展历程
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飞思卡尔
微控制器
ARM
处理器
加利福尼亚州
16位MCU
纳米薄膜
半导体
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期刊影响力
中国集成电路
月刊
1681-5289
11-5209/TN
大16开
北京朝阳区将台西路18号5号楼816室
1994
chi
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