NGTB40N120FLWG等：IGBT

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 安森美半导体 双极晶体管 沟槽型 器件
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 全球IC新品指南
• 页码范围: 32-32
• 页数: 1页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 1155字
• 语种: 中文

摘要

安森美半导体扩充NGBTxx系列1200V沟槽型场截止绝缘门双极晶体管（IGBT）器件。