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复合硅源在大理石表面仿生合成二氧化硅保护膜的研究
复合硅源在大理石表面仿生合成二氧化硅保护膜的研究
作者:
何海平
滕飞
胡钢
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
二氧化硅膜
复合硅源
仿生合成
摘要:
使用硅酸钠/氟硅酸钠复合硅源,通过仿生合成方法在大理石表面制备得到了一层SiO2为主要成分的保护膜,并对该膜的性能进行了检测评价.运用傅里叶变换红外光谱仪和扫描电子显微镜对膜的结构和形貌进行了表征,探讨了SiO2的成膜机理.结果表明,运用复合硅源可在近中性条件下在大理石表面形成SiO2膜,SiO2颗粒以球形形态沉积在大理石表面,表现出成核、颗粒长大和颗粒堆聚3个阶段.24 h可形成较完整、均匀致密的保护层.该膜不仅具有优良的耐酸、耐候性,还具有良好的透气性能.
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文献信息
篇名
复合硅源在大理石表面仿生合成二氧化硅保护膜的研究
来源期刊
现代化工
学科
工学
关键词
二氧化硅膜
复合硅源
仿生合成
年,卷(期)
2012,(4)
所属期刊栏目
科研与开发
研究方向
页码范围
51-54
页数
分类号
TB332
字数
3898字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.0253-4320.2012.04.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
胡钢
北京大学考古文博学院
17
83
4.0
9.0
2
滕飞
北京大学考古文博学院
20
119
7.0
10.0
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
二氧化硅膜
复合硅源
仿生合成
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代化工
主办单位:
中国化工信息中心
出版周期:
月刊
ISSN:
0253-4320
CN:
11-2172/TQ
开本:
大16开
出版地:
北京安外小关街53号
邮发代号:
082-67
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
9409
总下载数(次)
26
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