基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
叙述了国内外对PiN器件雪崩电压理论极限的论述,详细说明了用ni=ND作为判定PiN器件雪崩电压理论极限依据的合理性。进而说明了这一研究的重要意义。
推荐文章
JMCT蒙特卡罗中子-光子输运程序全堆芯pin-by-pin模型的模拟
全堆芯
pin-by-pin
空间区域分解
嵌套并行计算
蒙特卡罗
JCOGIN
JMCT
功率VUMOSFET器件阈值电压最佳化设计
VUMOSFET
阈值电压
SILVACO
激光引信雪崩二极管光电探测
激光引信
APD接收系统
最佳偏压控制
低噪声放大电路
带p-n结半导体器件飘流扩散模型的拟中性极限
拟中性极限
飘流扩散方泊松程组
p-n结
半导体
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 再议PiN器件的极限雪崩电压
来源期刊 电源技术应用 学科 工学
关键词 PIN二极管 雪崩 本征热激发载流子浓度 电压极限
年,卷(期) 2012,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 48-50
页数 3页 分类号 TM46
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 关艳霞 沈阳工业大学信息科学与工程学院 35 79 5.0 7.0
2 潘福泉 沈阳工业大学信息科学与工程学院 17 7 2.0 2.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2012(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
PIN二极管
雪崩
本征热激发载流子浓度
电压极限
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源技术应用
月刊
0219-2713
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座24层
1998
chi
出版文献量(篇)
6708
总下载数(次)
26
总被引数(次)
11064
论文1v1指导