MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管

• 作者: 付祥良 沈川 王伟强 郭余英 陈路 顾仁杰
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲镉汞 雪崩光电二极管 雪崩增益 击穿电压1
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 136-140
• 页数: 5页
• 分类号: O475|O782
• 字数: 3294字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2013.00136

摘要

对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算,获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系,从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压.通过对材料特性(组分,外延厚度,掺杂浓度等)的优化,设计并生长了适合制备PIN结构红外雪崩光电二极管的碲镉汞材料,并进行了器件验证.结果显示,在10V反偏电压下,该器件电流增益可达335.