MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵

• 作者: 丁瑞军 何力 冯婧文 叶振华 尹文婷 廖亲君 林春 胡伟达 胡晓宁 陈洪雷 陈路 黄建
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 分子束外延 原位碲化镉钝化 动态阻抗
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 页码范围: 495-498,517
• 分类号: TN305.7|TN304.2
• 字数: 3243字
• 语种: 中文

摘要

采用分子束外延(MBE)技术在表面生长碲化镉(CdTe)介质膜的p型碲镉汞(HgCdTe)材料,并通过离子注入区的光刻、暴露HgCdTe表面的窗口腐蚀、注入阻挡层硫化锌(ZnS)的生长、形成p-n结的B+注入、注入阻挡层的去除、绝缘介质膜ZnS的生长、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了原位CdTe钝化的n+-on-p平面型HgCdTe红外光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-v)和动态阻抗与电压(R-v)特性曲线中,发现原位CdTe钝化的光电二极管列阵的零偏动态阻抗比非原位CdTe钝化的提高了1～2倍,零偏压附近的反向偏压位置的动态阻抗极大值甚至提高了30～40倍.对于工作在反向小偏压附近的光电二极管列阵,原位CdTe钝化方法非常有利于提高长波光电二极管的探测性能.