中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性

• 作者: 孔金丞 庄继胜 李东升 李立华 李雄军 杨登泉 杨超伟 胡彦博 舒恂 赵俊 韩福忠
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 中波碲镉汞 雪崩光电二极管 增益 C-V
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 175-181
• 页数: 7页
• 分类号: TN215
• 字数: 3640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.009

摘要

采用不同工艺制备了中波碲镉汞(HgCdTe)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1.2 μm和2.5 μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1000以上.用肖克莱解析式拟合HgCdTe APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J.Rothman的报道相似.