中波碲镉汞光电二极管pn结特性研究

• 作者: 孔金丞 庄继胜 朱颖峰 李东升 李立华 李雄军 秦强 胡彦博 韩福忠
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 中波碲镉汞 光电二极管 pn结 LBIC
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 911-915
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 2630字
• 语种: 中文

摘要

采用液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试和分析.LBIC测试结果表明,HgCdTe pn结实际结区尺寸扩展4～5 μm,这主要与光刻、B离子注入以及注入后低温退火等器件工艺有关.二极管器件C-V和I-V特性研究表明,所制备的HgCdTe pn结不是突变结也不是线性缓变结.中波HgCdTe二极管器件最高动态阻抗大于30GΩ,器件优值R0A高达1.21×105Ωcm2,表现出较好的器件性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雄军		24	68	4.0	7.0
2	孔金丞		26	70	4.0	6.0
3	庄继胜		19	117	6.0	10.0
4	李立华		16	53	4.0	6.0
5	韩福忠		19	61	5.0	6.0
6	朱颖峰		22	75	5.0	6.0
7	李东升		27	43	3.0	4.0
8	胡彦博		8	16	3.0	3.0
9	秦强		6	20	3.0	4.0