利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管

• 作者: 周松敏 孙权志 李浩 林春 王溪
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 雪崩光电二极管 离子束刻蚀 增益 过剩噪声因子
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 223-227
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 3800字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.02.016

摘要

碲镉汞雪崩光电二极管是第三代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法,并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4.8 μm的中波器件在17 V反向偏置下增益可达1000.对器件进行了噪声频谱测试,计算了其过剩噪声因子.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王溪	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	27	607	15.0	24.0
2	李浩	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	64	498	10.0	21.0
6	林春	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	19	110	7.0	10.0
7	孙权志	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	3	8	2.0	2.0
8	周松敏	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	5	9	1.0	3.0