IGBT器件的门极驱动模型及应用

• 作者: 同向前 宁大龙 胡勋
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管 门极驱动电路 数学模型 门极驱动功耗
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 106-108
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 字数: 2418字
• 语种: 中文

摘要

针对IGBT器件驱动电路损耗计算及驱动电源设计,分析了IGBT器件门极控制机理,建立了器件驱动电路在开关过程的等效电路,推导了门极电压和电流的解析式,给出了驱动功耗的计算方法.仿真和实验结果表明,建立的开关模型能够精确描述IGBT在开关过程中的电压电流变化,基于此模型的驱动电路功耗计算结果可作为驱动电源设计或选型的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	同向前		131	1950	24.0	40.0
2	宁大龙		5	59	4.0	5.0
3	胡勋		1	5	1.0	1.0