基于MOSFET设计优化的功率驱动电路

• 作者: 李小艳 李方军 武振宁
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 急聚点 损耗
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.1

摘要

在分析了功率MOSFET结构特性的基础上，讨论驱动电路的设计，从而优化MOSFET的驱动性能，提高设计的可靠性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李小艳		8	46	4.0	6.0
2	武振宁		10	7	1.0	2.0
3	李方军		4	0	0.0	0.0