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摘要:
基于独特结构和物理特性的两类高性能新型高压半导体开关漂移阶跃恢复二极管和快速离化开关,提出一种新型高功率高压纳秒电磁脉冲产生方法,其技术路径是通过高压漂移阶跃恢复二极管开关将高贮能电感能量向高压快速离化开关及负载转移,产生高功率、高重复频率纳秒电磁脉冲,并用实验验证该方法在高重复频率(120,200,300 kHz)下产生高功率、高重复频率纳秒脉冲的有效性,输出脉冲电压分别为1.62,1.41,1.36 kV.
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文献信息
篇名 新型半导体开关高压电磁脉冲产生技术
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 半导体开关 高压脉冲 高重复频率 电磁脉冲产生
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目 脉冲功率技术
研究方向 页码范围 497-500
页数 分类号 TN78
字数 1973字 语种 中文
DOI 10.3788/HPLPB20122402.0497
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 潘文武 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术实验室 13 53 4.0 6.0
2 梁勤金 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术实验室 19 71 5.0 7.0
3 石小燕 中国工程物理研究院应用电子学研究所高功率微波技术实验室 17 66 5.0 7.0
4 邓晓磊 电子科技大学通信与信息工程学院 1 7 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
半导体开关
高压脉冲
高重复频率
电磁脉冲产生
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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