沟道角度对微加速度计性能的影响

• 作者: 刘俊 史伟莉 张文栋 张斌珍 薛晨阳 谭振新
• 来源期刊: 仪表技术与传感器
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属半导体场效应晶体管 沟道角度 灵敏度
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 传感器技术
• 页码范围: 10-12
• 分类号: O782
• 字数: 1740字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1841.2012.01.004

摘要

通过设计与悬臂梁呈不同角度的沟道,对GaAs基金属半导体场效应晶体管(MESFET)的微加速度计的输出特性进行了初步测试研究.设计了GaAs MESFET的材料层结构并采用四梁固支结构.通过表面浅工艺加工出GaAs MESFET微加速度计.将敏感单元GaAs MESFET嵌入四梁靠近根部的位置.设计了3种不同的沟道角度,分别与悬臂梁呈45°、90°、0°,通过实验定量分析了GaAs MESFET在受到外力时,不同沟道角度的GaAs MESFET加速度计的灵敏度,且0°时灵敏度最高.最终指导传感器的优化设计,为进一步提高微加速度计的灵敏度奠定基础.