篇名 | 1.0 μm gate-length InP-based InGaAs high electron mobility transistors by mental organic chemical vapor deposition | ||
来源期刊 | 中南大学学报(英文版) | 学科 | |
关键词 | |||
年,卷(期) | 2012,(12) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 3444-3448 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI | 10.1007/s11771-012-1427-1 |