构造单片半导体结构技术取得突破

• 来源期刊: 企业技术开发：中旬刊
• 学科: 经济
• 关键词: 体结构 技术 构造 《科学》杂志 物理学家 科学家 意大利 X射线
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 57-57
• 页数: 1页
• 分类号: F270.7
• 字数: 1088字
• 语种: 中文

摘要

据物理学家组织网近日报道，瑞士和意大利科学家在近日出版的《科学》杂志上指出，他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破，成功在硅上集成了50微米厚锗，新结构几乎完美无缺，最新研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。