InSb面阵探测器法线方向力学参数选取研究

• 作者: 余倩 吕衍秋 孟庆端 张立文
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 焦平面 锑化铟 结构应力
• 年，卷（期）: 2012,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 328-332
• 分类号: TN215
• 语种: 中文

摘要

为明确InSb芯片前表面结构缺陷和背面减薄工艺对InSb芯片变形的影响，本文采用降低InSb芯片法线方向杨氏模量的方式，基于热冲击下InSb芯片的典型形变特征来探索InSb芯片力学参数的选取依据．模拟结果表明：当InSb芯片法线方向杨氏模量取体材料的30％时，最大VonMises应力值和法线方向最大应变值均出现在N电极区域，且极值呈非连续分布，这与InSb焦平面探测器碎裂统计报告中典型裂纹起源于N电极区域及多条裂纹同时出现的结论相符合．此外，InSb芯片中铟柱上方区域向上凸起，台面结隔离槽区域往下凹陷，该形变分布也与典型碎裂照片中InSb芯片的应变分布保持一致．因此，基于InSb芯片法线方向应变的判据除了能够预测裂纹起源地及裂纹分布外，还能提供探测器阵列中心区域Z方向应变分布及N电极区域Z方向的应变增强效应，为InSb芯片力学参数的选取提供了依据．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立文	河南科技大学电子信息工程学院	31	250	7.0	15.0
2	孟庆端	河南科技大学电子信息工程学院	35	101	5.0	8.0
3	余倩	河南科技大学电子信息工程学院	3	18	2.0	3.0
4	吕衍秋		16	67	4.0	7.0