InSb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征研究

• 作者: 侯治锦 傅莉 司俊杰 吕衍秋 王巍 鲁正雄
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 面阵探测器 铟柱缺陷 铟柱阵列 缺陷
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 325-331,350
• 页数: 8页
• 分类号: TN215
• 字数: 5941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.03.012

摘要

通过基于正性光刻胶的不同像元尺寸铟柱阵列及器件制备,研究InSb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征.分别研制了像元尺寸为50μm×50μm、30μm×30μm、15μm×15μm的面阵探测器的铟柱阵列,并制备出InSb面阵探测器,利用高倍光学显微镜和焦平面测试系统对制备的芯片表面形貌、器件连通性及性能进行了检测与分析.研究结果表明:当像元尺寸为50μm×50μm时,芯片表面形貌和器件连通性测试结果较好;随着像元尺寸减小,芯片表面会出现铟柱相连或铟柱缺失缺陷,器件连通性测试结果与表面形貌相吻合.铟柱相连缺陷是由光刻剥离时残留铟渣引起的铟相连造成;铟柱缺失缺陷是由光刻时残留光刻胶底膜引起的铟柱缺失造成.器件相连缺陷元的响应电压与正常元基本相同,缺失缺陷元的响应电压基本为0,其周围最相邻探测单元响应电压相比正常元增加了约25％.器件缺陷元的研究结果,对通过优化探测器制作水平提升其性能具有重要参考意义.