| 篇名 | Quantum dots-templated growth of strain-relaxed GaN on a c-plane sapphire by radio-frequency molecular beam epitaxy | ||
| 来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
| 关键词 | Ⅲ-Ⅴ semiconductor radio-frequency molecular beam epitaxy dislocation | ||
| 年,卷(期) | 2012,(10) | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 485-490 | |
| 页数 | 6页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | 10.1088/1674-1056/21/10/108101 | ||