pMOS器件直流应力负偏置温度不稳定性效应随器件基本参数变化的分析

• 作者: 张旭琳 曹建民 贺威 黄思文
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: pMOS器件 负偏压温度不稳定性 二维器件模拟 漂移扩散模型
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 424-431
• 分类号: TN432.05
• 语种: 中文

摘要

应用负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability, NBTI）, 退化氢分子的漂移扩散模型, 与器件二维数值模拟软件结合在一起进行计算, 并利用已有的实验数据和基本器件物理和规律, 分析直流应力NBTI效应随器件沟道长度、栅氧层厚度和掺杂浓度等基本参数的变化规律, 是研究NBTI可靠性问题发生和发展机理变化的一种有效方法. 分析结果显示, NBTI效应不受器件沟道长度变化的影响, 而主要受到栅氧化层厚度变化的影响; 栅氧化层厚度的减薄和栅氧化层电场增强的影响是一致的, 决定了器件退化按指数规律变化; 当沟道掺杂浓度提高, NBTI效应将减弱, 这是因为器件沟道表面空穴浓度降低引起的; 然而当掺杂浓度提高到器件的源漏泄漏电流很小时（小泄露电流器件）, NBTI效应有明显的增强. 这些结论对认识NBTI效应的发展规律以及对高性能器件的设计具有重要的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺威	深圳大学电子科学与技术学院	23	56	4.0	6.0
2	张旭琳	深圳大学电子科学与技术学院	14	44	4.0	5.0
3	曹建民	深圳大学电子科学与技术学院	11	23	3.0	4.0
4	黄思文	深圳大学电子科学与技术学院	4	10	2.0	3.0